관련링크
본문
※ 본 정보는 외부 공개 자료를 바탕으로 작성되었습니다. 기관 사정 등에 따라 변경 내용이 존재할 수 있습니다.
(서울=호수뉴스) 삼성전자가 개발 중인 하이브리드 본딩 기술 이 NVIDIA 의 차세대 AI 가속기 'Feynman'에 사용될 것으로 알려졌으며, 해당 칩에는 커스텀 HBM 이 탑재될 전망이다. 룩온체인에 따르면, 삼성전자는 첨단 패키징을 위해 평택 P5 공장에서 Die-to-Wafer(D2W) 하이브리드 본딩 생산 라인 구축에 들어갔고, 이는 차세대 고대역폭 메모리(HBM) 및 로직 반도체 생산을 겨냥한 움직임이다.
이 기술은 기존의 열압착 본딩 방식을 대체하여 구리 및 절연 재료를 직접 접합하며, 이를 통해 인터커넥트 길이를 획기적으로 줄이는 장점이 있고, 핵심 응용 분야는 수직으로 HBM DRAM 층 을 쌓아 올리는 3D 시스템인패키지(SiP) 솔루션 을 구현하는 것이다. Citrini 분석가 Jukan은 해당 하이브리드 본딩 기술의 적용 시점이 HBM4E보다.
늦춰져 2029~2030년경 대규모 상용화가 이루어질 것으로 보이며, 이는 NVIDIA의 Feynman 출시 예상 시점과 일치한다고 언급했다. 삼성전자가 차세대 AI 반도체 구현을 위한 핵심 기술인 하이브리드 본딩 설비 투자를 본격화하고 있다.
◆삼성전자, 엔비디아 AI 칩용 하이브리드 본딩 양산 시동… 맞춤형 HBM 기술 경쟁 (+삼성전자, 엔비디아, 하이브리드본딩, HBM)
|
|
|
|
|
추천 0 반대 0
댓글목록
등록된 댓글이 없습니다.
