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위 사진을 보면 쇼트키 다이오드에 n타입 실리콘을 쌓는다는데
제가 알기로는 저 상황이면 커패시턴스를 안 갖지 않나요?
구하라면 공식넣어서 구할 순 있는데..
책에도 축전전하 커패시턴스가 없다고나와있는데
제로바이어스랑 리버스바이어스로 나눠서 계산하라는거보면
그냥 일만 p-n접합공식을 넣어야하는지..
헷갈리네요..일단 이론상으로는 둘다 0일텐데
고수님 계실까요?
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댓글목록
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접합캐패시턴스는 pn 때 구하는 공식하고 같을거에요 |
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그런데 ms 컨택이 메탈쪽이 어셉터나 도너농도가 존재하지않는데 커패시턴스가 어떻게 존재하는걸까요?
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도너농도는 저기 주어져있구
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바이어스를 가할시에 S쪽에서 공핍 영역이 생기며 캐패시턴스 발생하지 않나요? 바이어스를 안가해도 쇼트키 배리어에 의한 미세한 캐패시턴스는 발생 될꺼 같은데... |
